ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ LiMO2 (M = B, Al, Ga, In, Tl): 10.25712/ASTU.1811-1416.2025.03.005 - Дугинова, Екатерина; Басалаев, Юрий; Маринова, Софья; Басалаева, Оксана (ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ СОВРЕМЕННОГО МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ, 2025)
В рамках теории функционала плотности (DFT) впервые исследована структура халькопирита гипотетических соединений LiMO2 (M = Al, Ga, In, Tl), определены равновесные структурные параметры. Расчеты энергетической зонной структуры кристаллов LiMO2 проведены с помощью программных кодов CRYSTAL и Quantum Espresso с использованием функционалов LDA, GGA, PBE и PBEsol. В точках высокой симметрии для халькопиритов (T, Г, N) вычислена энергетическая зонная структура и плотность состояний кристаллов LiMO2. Все исследуемые кристаллы LiMO2 являются широкозонными. Оценены значения ширины запрещенной зоны Eg, установлены особенности изменения Eg и полной ширины валентной зоны при замещении катиона в ряду B→Al→Ga→In→Tl. Это влияет на изменение свойств в ряду кристаллов от явных диэлектриков (первые три) до узкозонных (LiTlO2) полупроводников. Выявлены особенности формирования края зоны проводимости в зависимости от химического состава кристаллов LiMO2. Дно зоны проводимости в точке Г кристаллов LiMO2 имеет симметрию Г1C или Г3C, из-за чего различаются соответственно прямозонные и псевдопрямозонные кристаллы. Выявлено, что кристаллы обладают свойствами полупроводников и диэлектриков.