ОБРАЗОВАНИЕ И ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ПОВРЕЖДЕНИЙ В ОБЛУЧЕННЫХ НЕЙТРОНАМИ ПРИРОДНЫХ АЛМАЗАХ ТИПА Ia

10.25712/ASTU.1811-1416.2026.01.001

Авторы

  • Виктор Винс Общество с ограниченной ответственностью «ВЕЛМАН», ул. Русская,43, Новосибирск, 630058, Россия https://orcid.org/0000-0002-0773-0810
  • Александр Елисеев Институт Геологии и Минералогии им. В.С.Соболева СО РАН, пр. академика Коптюга, 3, Новосибирск, 630090, Россия https://orcid.org/0000-0002-0509-2122

DOI:

https://doi.org/10.25712/ASTU.1811-1416.2026.01.001

Ключевые слова:

облучение нейтронами, высокотемпературный отжиг, природные алмазы типа Ia, оп-тически активные дефекты (центры)

Аннотация

Методами оптической спектроскопии исследована коллекция природных алмазов типа Ia подвергнутых облучению  нейтронами в комбинации с последующим отжигом в вакууме. Определены доминирующие в структуре алмазов атомные дефекты (центры) в зависимости от дозы облучения и температуры последующего отжига. Определено, что среда высокого кристаллического качества   с максимально интенсивной Н3 - люминесценцией  и минимальным содержанием других оптически активных дефектов может быть получена из алмаза чистого типа IaA (с Na ≈ 200 ppm) облучением  нейтронами дозой   DN =0.2×1017 см-2  в комбинации с последующим высокотемпературным отжигом в вакууме. Найдено пороговое значение произведения дозы облучения на суммарное содержание азота в кристалле, выше которого, при отжиге 1500º С за счет последовательной трансформации дефектов, в кристаллической решетке появляется около 4 ppm С-дефектов, составляющее 380∙1017 ppm×нейтронов/см2.  Характерными для облучения нейтронами являются: а)  система H1g (~ 4444 см-1 или ~ 2250 нм);  б) дуплет узких линий поглощения (80К) при 638/643 нм;  и   в) система в ближнем ИК диапазоне с линией при 913 нм.

Биографии авторов

Виктор Винс, Общество с ограниченной ответственностью «ВЕЛМАН», ул. Русская,43, Новосибирск, 630058, Россия

доктор физико-математических наук, директор ООО «ВЕЛМАН»

Александр Елисеев, Институт Геологии и Минералогии им. В.С.Соболева СО РАН, пр. академика Коптюга, 3, Новосибирск, 630090, Россия

Методами оптической спектроскопии исследована коллекция природных алмазов типа Ia подвергнутых облучению нейтронами в комбинации с последующим отжигом в вакууме. Определены до-минирующие в структуре алмазов атомные дефекты (центры) в зависимости от дозы облучения и темпера-туры последующего отжига. Определено, что среда высокого кристаллического качества с максимально интенсивной Н3 - люминесценцией и минимальным содержанием других оптически активных дефектов может быть получена из алмаза чистого типа IaA (с Na ≈ 200 ppm) облучением нейтронами дозой DN =0.2×1017 см-2 в комбинации с последующим высокотемпературным отжигом в вакууме. Найдено пороговое значение произведения дозы облучения на суммарное содержание азота в кристалле, выше которого, при отжиге 1500º С за счет последовательной трансформации дефектов, в кристаллической решетке появляется около 4 ppm С-дефектов, составляющее 380∙1017 ppm×нейтронов/см2. Характерными для облучения нейтро-нами являются: а) система H1g (~ 4444 см-1 или ~ 2250 нм); б) дуплет узких линий поглощения (80К) при 638/643 нм; и в) система в ближнем ИК диапазоне с линией при 913 нм.

Загрузки

Опубликован

2026-03-31

Как цитировать

Винс, В., & Елисеев, А. (2026). ОБРАЗОВАНИЕ И ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ПОВРЕЖДЕНИЙ В ОБЛУЧЕННЫХ НЕЙТРОНАМИ ПРИРОДНЫХ АЛМАЗАХ ТИПА Ia: 10.25712/ASTU.1811-1416.2026.01.001. ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ СОВРЕМЕННОГО МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ, 23(1), 9–23. https://doi.org/10.25712/ASTU.1811-1416.2026.01.001

Выпуск

Том 23 № 1 (2026): Фундаментальные проблемы современного материаловедения

Раздел

РАЗДЕЛ 1. ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ