ВЛИЯНИЕ ЛАЗЕРНОЙ АБЛЯЦИИ НА СОСТАВ ПОВЕРХНОСТИ И СВОЙСТВА ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗ КРИСТАЛЛОВ LiGaSe2, LiGaS2 ПРИ СОЗДАНИИ АНТИОТРАЖАЮЩИХ МИКРОСТРУКТУР

10.25712/ASTU.1811-1416.2025.02.005

Аннотация

Создание антиотражающих микроструктур (ARM) на поверхности оптических элементов из кристаллов халькогенидов позволяет существенно повысить их пропускание. Однако поверхность с микроструктурами может быть подвержена процессам, вызывающим избыточное поглощение на определенных длинах волн. Этот эффект характерен для селеногаллата и тиогаллата лития — перспективных нелинейно-оптических материалов для среднего ИК. Для указанных материалов сильное поглощение появляется на спектрах вблизи 3 и 6 мкм. В настоящей работе приведены результаты комплексного исследования изменений поверхности кристаллов LiGaSe₂ и LiGaS₂ после фемтосекундной лазерной абляции, а также описана методика снижения избыточного поглощения путем отжига оптических элементов с микроструктурами в специальной атмосфере.  Установлено, что для LiGaSe₂ на поверхности с ARM присутствует избыточное количество селена, в то время как для LiGaS₂ характерно преобладание соединений галлия. При этом, в отличие от LiGaSe₂, для LiGaS₂ на измененной поверхности с микроструктурами образуется плотный «налет». В результате проведенных экспериментов было показано, что отжиг оптических элементов LiGaSe₂, LiGaS₂ с ARM позволяет устранить поглощение на длинах волн 3 и 6 мкм.