ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ КВАНТОВЫХ  ТОЧЕК АIIBVI, ЛЕГИРОВАННЫХ ИОНАМИ МАРГАНЦА (II)  И МЕДИ (I, II): doi: 10.25712/ASTU.2072-8921.2021.02.030

Анастасия Александровна  Исаева; Лина Викторовна  Затонская; Павел Викторович  Лыков; Владимир Петрович  Смагин

Авторы

Анастасия Александровна Исаева Алтайский государственный университет https://orcid.org/0000-0002-4085-2887
Лина Викторовна Затонская Кемеровский государственный университет https://orcid.org/0000-0002-2842-2710
Павел Викторович Лыков Алтайский государственный университет https://orcid.org/0000-0002-6855-278X
Владимир Петрович Смагин Алтайский государственный университет https://orcid.org/0000-0003-4782-6355

Ключевые слова:

многослойные квантовые точки, сульфид кадмия, сульфид цинка, ионы марганца (II), ионы меди (I, II), легирование, коллоидный синтез, полиметилметакрилат, фотолюминесценция, дефекты кристаллической решетки

Аннотация

Ионы марганца (II) и меди (I, II) являются востребованными легирующими примесями, способными существенно модифицировать оптический спектр полупроводниковой матрицы. В литературе встречаются противоречивые данные о влиянии ионов меди и совместном влиянии ионов меди и марганца на фотолюминесцентные свойства полупроводниковых квантовых точек. Цель данной работы – получение многослойных квантовых точек на основе сульфидов цинка и кадмия, совместно легированных ионами марганца и меди, закрепленных в полимерной матрице, и изучение их фотолюминесцентных свойств. В качестве метода получения легированных многослойных квантовых точек был выбран метод коллоидного синтеза, отверждение коллоидных растворов проводили радикальной термической полимеризацией, влияние легирующих ионов оценивали по изменениям в спектрах фотолюминесценции. Исходя из спектров фотолюминесценции, ионы меди значительно изменяют эмиссионные свойства наночастиц. Находясь в кристаллической решетке полупроводника, как в одновалентном, так и в двухвалентном состоянии, ионы меди создают многочисленные дефекты в решетке и на поверхности полупроводников, являющиеся эффективными центрами фотолюминесценции. Внешне влияние дефектов проявляется в уширении полосы фотолюминесценции, связанной с собственными дефектами сульфида цинка, появлении пологого плеча данной полосы, продолжающегося до зеленой области спектра, практически полным исчезновением полосы фотолюминесценции сульфида кадмия. Фотолюминесценция, связанная с ионами марганца, на зарегистрированных спектрах не проявляется.